Postdoctoral position – microelectronic SiC reliability at the device level by Atomic Force Microscope (AFM)
PhD-microelectronic – New methodologies for analysis of metal-dielectric interfaces for high integrated passive devices from 2D to 3D
Les travaux sur les sulfures d’origine minérale à propriétés thermoélectriques sélectionnés dans les Highlights 2022 du rapport annuel de l’ESRF
Structural Evolution in an Annealed (Eu, Tb)-Doped ZnO/Si Nanoscale Junction: Implication for Red LED Development